研发工程师

1. 负责碳化硅（SiC）MOSFET、SBD等功率器件的研发工作，完成器件结构设计、工艺方案规划、TCAD仿真分析，针对性优化击穿电压、导通电阻、开关损耗、热稳定性等核心性能参数； 2. 主导器件流片全流程，对接晶圆厂推进工艺落地，跟进光刻、离子注入、薄膜沉积等关键工艺环节，解决研发及试产过程中的工艺异常与技术难题，推动产品迭代优化； 3. 负责器件动静态电学性能测试、可靠性验证及失效机理分析，依据AEC-Q101、AQG324等行业标准完善测试体系，输出完整的研发、测试及量产报告； 4. 开展竞品技术调研、结构对标及性能分析，挖掘技术创新点，参与专利申报、技术标准搭建，配合团队完成产品量产导入与技术迭代工作。

1. 硕士及以上学历，微电子、半导体物理、电子科学与技术、电力电子等相关专业，扎实掌握半导体器件物理原理； 2. 2-5年SiC功率器件研发相关经验，熟悉SiC MOSFET/SBD器件结构与工艺流程，熟练使用TCAD仿真工具； 3. 精通功率器件电学测试、可靠性验证方法，具备流片跟进、工艺调试及问题复盘能力，有成功研发或量产项目经验者优先； 4. 具备良好的逻辑思维、问题攻坚能力和团队协作意识，责任心强，能独立推进研发项目落地，有车载半导体研发经验优先。